Hersteller Produktnummer:
CXDM1002N TR PBFREE
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
CXDM1002N TR PBFREE-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Inventar:
2739 Stück Neu Original Auf Lager
12789624
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CXDM1002N TR PBFREE Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-89
Paket / Koffer
TO-243AA
Basis-Produktnummer
CXDM1002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
CXDM1002N DKR
CXDM1002N TR LEAD FREE
1514-CXDM1002NTRPBFREETR
CXDM1002N CT
CXDM1002N TR
1514-CXDM1002NTRPBFREEDKR
CXDM1002N DKR-DG
1514-CXDM1002NTRPBFREECT
CXDM1002NTR-DG
CXDM1002NCT
CXDM1002NCT-DG
CXDM1002N CT-DG
CXDM1002NDKR
CXDM1002NTR
CXDM1002N TR-DG
CXDM1002NDKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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